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氧气plasma清洗工作原理

返回列表 来源:开云官方网站 浏览: 发布日期:2023-06-25 09:22【
文章导读:氧气等离子体清洗装置通过高频电源产生等离子体,将氧气分子转化成活性氧离子、氧分子、氧原子等,这些活性物种通过各种反应,可以有效地去除表面的有机物、无机盐、金属氧化物等污染物质。这种清洗技术具有高效、环保、无残留等优点,被广泛应用于半导体、液晶、光电等行业的表面清洗处理中。
氧气plasma清洗工作原理:氧气plasma清洗技术是一种基于等离子体物理化学反应原理的表面清洗技术。氧气等离子体清洗装置通过高频电源产生等离子体,将氧气分子转化成活性氧离子、氧分子、氧原子等,这些活性物种通过各种反应,可以有效地去除表面的有机物、无机盐、金属氧化物等污染物质。这种等离子清洗机具有高效、环保、无残留等优点,被广泛应用于半导体、液晶、光电等行业的表面清洗处理中。
plasma清洗
plasma清洗通常包括以下过程:
1、无机气体被轰击激发为电子、离子中性粒子等等离子态气相物质被吸附在固体表面。
2、被吸附的等离子基团与基底表面分子或原子发生化学反应生成复合基团分子,通过惰性气体携带反应残余物脱离基底表面。
plasma清洗
plasma清洗机的工作机制如下: 在真空环境中提供电场,在电场的作用下,带正电的电荷和电子等相互碰撞电离进行辉光放电形成等离子体。电离产生的活性基团携带巨大的动能,可以破坏材料表面的化学键及分子间作用力,与断键的离子或独立的分子发生化学反应。在半导体工艺中,通过控制氧气和显气的通量,使具有强氧化性的氧等离子体与硅片表面的残留光刻时发生氧化反应,生成气相结合物脱离硅片表面,达到清洁表面的作用。
氧气plasma清洗
当等离子体具有很强的腐蚀性时,可以很好地达到刻蚀材料表面的目的,且由于腐蚀性的等离子体都具有各向异性,其刻蚀效果也具有易控制、质量高的特点。plasma清洗处理速度快,可达到每秒穿透几个纳米的厚度。对于只有原子层厚度的二维材料来说,plasma清洗机可以较好地清除其表面污染物。

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